9月28日，开工9个月的国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房，实现提前封顶，项目建设向前迈出坚实一步！

　　在项目前期工作中，葛化集团参与基础设施的建设服务，缔造了”葛化速度“，为项目的顺利实施夯实了基础。该项目于2016年12月30日正式开工，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash 生产厂房，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。此次提前封顶的项目（一期）一号生产及动力厂房建筑面积达52.4万㎡，预计将于2018年投入使用。项目（一期）达产后，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

　　国家存储器基地是我国发展集成电路产业的重要组成部分，对于填补国内主流存储器领域空白、保障国家信息安全具有重要的战略意义。国家存储器基地的逐步建成，标志着中国存储芯片产业规模化发展实现”零“的突破，这是”国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作“新模式的成功探索。

　　未来，这里将建起”航母级芯片工厂“，我国存储器产业的发展也将再上新台阶。